[据美国雷声公司2009年8月31日报道] 在最近举行的测试中，新的氮化镓（gallium nitride，GaN）芯片通过了长达1000小时的可靠运行测试。该项测试的成功，标志着GaN将成为下一代雷达技术的标准。
GaN技术将增强雷达的可靠性与有效性，从而降低设备的主要功率消耗、减缓制冷的需求。因此。与砷化镓（gallium arsenide，GaAs）T/R模块相比较，GaN T/R模块能够提供更大的长脉冲无线电射频功率。
值得注意的是，在长达1000小时的GaN功率放大器微波单片集成电路（microwave monolithic integrated circuit，MMIC）可靠性操作测试中，设备性能没有出现降低。
据悉，顺利通过本次测试的新GaN芯片将被广泛用于多个防空/反导项目。GaN技术将赋予战斗人员更高的机动性，更强大的战场能力与可靠性。与其它技术相比较，GaN技术的运行效率更高，因此还可以帮助解决一些后勤问题。
