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    美国雷声公司的氮化镓技术确立新的雷达技术标准

    2009-09-04

        [据美国雷声公司2009年8月31日报道] 在最近举行的测试中,新的氮化镓(gallium nitride,GaN)芯片通过了长达1000小时的可靠运行测试。该项测试的成功,标志着GaN将成为下一代雷达技术的标准。 
        GaN技术将增强雷达的可靠性与有效性,从而降低设备的主要功率消耗、减缓制冷的需求。因此。与砷化镓(gallium arsenide,GaAs)T/R模块相比较,GaN T/R模块能够提供更大的长脉冲无线射频功率。 
        值得注意的是,在长达1000小时的GaN功率放大器微波单片集成电路(microwave monolithic integrated circuit,MMIC)可靠性操作测试中,设备性能没有出现降低。 
        据悉,顺利通过本次测试的新GaN芯片将被广泛用于多个防空/反导项目。GaN技术将赋予战斗人员更高的机动性,更强大的战场能力与可靠性。与其它技术相比较,GaN技术的运行效率更高,因此还可以帮助解决一些后勤问题。


    标签: 雷达
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