技术参数　　
　　
　　1。ECR微波等离子体源＆和电源：
　　•圆形
　　􀁸8，12inch等离子体源
　　􀁸频率2.46GHz
　　􀁸微波发生器，电磁铁和3个调谐器
　　•矩形等离子体源
　　􀁸长度：500to1，000mm（upto2，000mmforlargeplanarareadeposition）
　　•电源
　　􀁸微波电源：50-1，200W（upto10kW）
　　􀁸反射微波功率测量
　　􀁸磁体电源：600W（100V，6A）
　　
　　2。薄膜沉积控制：
　　•膜厚检测和处理时间可通过计算机程序控制
　　•膜厚检测和处理速度可通过计算机程序控制
　　􀁸支持大面积沉积（如：氧化硅、氮化硅等）
　　􀁸可升级为在线ECR-PECVD系统
　　•质量流量和自动压力控制
　　􀁸质量流量控制器：各种气体
　　􀁸Baratron真空规：等离子体处理
　　􀁸节流阀和控制器
　　
　　3。真空室：
　　•圆形腔体
　　•直径：φ400～600mm（Substrate：2to15inch）
　　•高度：400～700mm
　　•方形腔体
　　•根据用户需求定制
　　
　　4。真空泵和测量装置：
　　•低真空：干泵，增压泵和Convectron真空规
　　•高真空：涡轮分子泵和离子规
　　
　　5。控制系统：PLC，计算机触摸屏控制
　　
主要特点　　
　　
　　扩展功能：
　　•射频电源：基底偏压
　　•带自动样品递送装置的Loadlock样品加载室
　　•温度控制器：基底加热
　　•蒸镀cellfordopingonfilm
　　•基底旋转功能：以提供薄膜厚度和热均匀性
　　•大面积基底平移系统
　　•冷却系统g
　　
　　ECR特点：
　　•更高的离子化程度
　　•更高的离子密度、低压下＜10-4Torr下粒子的活性
　　•更低的污染：因为无需电极
　　•适用于等离子体清洗，表面活化／改性和薄膜沉积
　　
仪器介绍　　
　　
　　全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD／ICPEtcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等；