该RA30H1317M1是30-watt RF的MOSFET放大器模块12.5-volt移动电台在向工作在135-175-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.输出功率和作为栅极漏电流增加电压的增加.随着一门围绕3.5V电压（最小），输出功率和漏电流大幅增加.额定输出功率变为可在4V（典型值）和5V（最大）.在VGG=5V,典型栅极电流1 mA.该模块是

该RA30H2127M是30-watt RF的MOSFET放大器模块for 12.5-volt，在210-经营移动收音机270-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进排水=0V),只是一个很小的泄漏电流与输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率作为栅极和漏极电压增加电流增加.随着gate voltage around 4V (minimum), output power a

该RA07H3340M是7-watt RF的MOSFET放大器模块for 12.5-volt便携式/ 330-运作，在移动无线电400-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进排水=0V),只是一个很小的泄漏电流与输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率作为栅极和漏极电压增加电流增加.随着栅极电压约2.5V（最低），输出功率和漏目前

RA55H3340M是55-watt RF的MOSFET放大器模块12.5-volt移动电台在向工作在330-400-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进入=0V),只有一小漏电流漏极和RF衰减输入信号的最高60 dB.输出功率和漏电流增加门极电压增加.与周围4V栅极电压（最小），输出功率和漏电流大幅增加.标称输出功率变在4.5

RA13H3340M是13-watt RF的MOSFET放大器模块for 12.5-volt，在330-经营移动收音机400-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进排水=0V),只是一个很小的泄漏电流与输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率作为栅极和漏极电压增加电流增加.随着gate voltage around 4V (minimum), output power and

RA07H0608M是7-watt RF的MOSFET放大器模块为12.5-volt，在68-合作，88-MHz范围内的行动收音机.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进排水=0V),只是一个很小的泄漏电流与输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率作为栅极和漏极电压增加电流增加.随着gate voltage around 4V (minimum), output power an

RA35H1516M是40-watt RF的MOSFET放大器模块12.5-volt移动电台在向工作在154-162-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进入=0V),只有一小漏电流排水和输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率和漏电流增加门极电压上升.与周围4V（最低），输出功率和电压门漏电流大幅增加.额定输出功率变在4.5V

CC1101TR4S是集FSK/ASK/OOK/MSK.调制方式于一体的收发模块。它提供扩展硬件支持实现信息包处理、数据缓冲、群发信息、空闲信道评估、链接质量指示和无线唤醒。它可以应用在315/433/868/915MHz ISM/SRD 频段的系统中

CC1101TR4是集FSK/ASK/OOK/MSK.调制方式于一体的收发模块。它提供扩展硬件支持实现信息包处理、数据缓冲、群发信息、空闲信道评估、链接质量指示和无线唤醒。它可以应用在315/433/868/915MHz ISM/SRD 频段的系统中，

D60462 WAY COMBINER/DIVIDER二路公分器/合路器Frequency: 1.5 – 30 MHzPower: 10,000 W CWWerlatone

1. 输入频率：128.8±3MHz2. 倍频因子：128（*4+*4+*4+*2）3. 输入功率：+10dBm4. 输出功率：≥6dBm，带内幅度不平度≤±0.75dB5. 杂散（非线性抑制）：≤-80dBc，谐波抑制≤-50dBc6. 相位噪声：在晶体输入频率￡（f

PREMO为西班牙及欧洲知名的电感元器件制造商，并成为多个不同行业内的著名企业的全球最大供货商。其中为汽车电子领域中的：无钥匙开锁系统（KPE）及汽车胎压检测所提供的RFID天线产品，是全球领导者之一。