• KEYENCE基恩士推出SI-F80R系列分光干涉式激光位移计
    2011-10-14 KEYENCE-基恩士国际贸易(上海)有限公司


    产品索引

     

    分光干涉式晶片厚度计

    •  即使已贴附背面研磨带也可测量晶片厚度
    •  将图案的影响降到最小
    •  可在生产线上进行测量
    •  自动映射整个晶片的厚度分布
    采用近红外 SLD,即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异,也可实现准确的生产线上测量。

     

     
     

    产品特性
     

     

    精确的只测量晶片厚度

     

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    SI-F80R 系列使用近红外 SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上 BG(背磨)胶带,也可精确测出晶片厚度。
     
     
     
     

    同类中最高的规格

     

     

    几乎不受晶片图案的影响

     

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    通过减小光点直径和光点内的表面相差,可最大限度的减少晶片表面图案的变化和测量警报的发生次数。
     
     
     
     

     

    之前的所有问题迎刃而解

     

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    [传统方式]
    接触式测量

    使用两个传感器一上一下不接触晶片进行测量
    • 测量时可能会损坏晶片。
    传感器将测量包括 BG 胶带在内的高度,一旦胶带厚度发生变化,整个结果就会出现误差。
    • 很难在一条直线上对齐两个传感器的光轴。
    • 传感器将测量包括 BG 胶带在内的厚度,一旦胶带厚度发生变化,整个结果就会出现误差。
       

     

     
     

     

    紧靠生产线进行简单精确的测量 在生产线中持续监控
    • 只需将传感器放在距离晶片 80 mm 的位置,即可轻松进行测量。
    • 不接触晶片,避免晶片损伤。
    • 传感器可直接只测量晶片厚度,因此测量不受 BG 胶带的影响。
    • 小巧的传感头可安装在距离晶片 80 mm 的位置,因此可在抛光的同时在设备内部持续监控晶片厚度。

    相关产品请下载:

    http://china.keyence.com/GKSI02

     

     
     
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