该RA30H1317M1是30-watt RF的MOSFET放大器模块12.5-volt移动电台在向工作在135-175-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.输出功率和作为栅极漏电流增加电压的增加.随着一门围绕3.5V电压（最小），输出功率和漏电流大幅增加.额定输出功率变为可在4V（典型值）和5V（最大）.在VGG=5V,典型栅极电流1 mA.该模块是专为非线性调频调制，但可能也可用于线性调制通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制与输入功率.
三菱（MITSUBISHI）:HF/VHF/UHF/900MHz（分立MOSFET管）
特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>30W,ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•宽带频率范围：135-175MHz
•低功耗控制电流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模块尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制与输入功率
•RA30H1317M1-101是RoHS兼容产品
•RoHS遵守表明该地段后由信“G”扣分.
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三菱（MITSUBISHI）:HF/VHF/UHF/900MHz（分立MOSFET管）
RD100HHF1、RD70HVF1、RD70HUF2、RD70HHF1、RD60HUF1、RD45HMF1、RD35HUF2、RD30HUF1、RD30HVF1、RD20HMF1、RD16HHF1、RD15HVF1、RD12MVP1、RD12MVS1、RD09MUP2、RD07MVS1B、RD07MVS1、RD07MVS2、RD07MUS2B、RD06HVF1、RD06HHF1、RD05MMP1、RD04HMS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD01MUS1、RD02MUS2B、RD01MUS2、RD00HHS1、RD00HVS1等RD全系列。
三菱（MITSUBISHI）：（射频功率放大模块）
RA60H4452M1、RA60H4047M1、RA60H3847M1、RA60H1317M1A、RA60H1317M、RA55H4452M、RA55H4047M、RA55H3847M、RA55H3340M、RA45H8994M1、RA45H7687M1、RA45H4452M、RA45H4047M、RA45H4045MR、RA35H1516M、RA33H1516M1、RA30H4552M1、RA30H4452M、RA30H4047M1、RA30H4047M、RA30H3340M、RA30H2127M、RA30H1721M、RA30H1317M1、RA30H1317M、RA30H0608M、RA20H8994M、RA20H8087M、RA18H1213G、RA13H8891MA、RA13H8891MB、RA13H4452M、RA13H4047M、RA13H3340M、RA13H1317M、RA08H1317M、RA08N1317M、RA07N4452M、RA07N4047M、RA07N3340M、RA07M4452MSA、RA07M4452M、RA07M4047MSA、RA07M4047M、RA07M3843M、RA07M3340M、RA07M2127M、RA07M1317MSA、RA07M1317M、RA07M0608M、RA07H4452M、RA07H4047M、RA07H3340M、RA07H0608M、RA06H8285M、RA05H9595M、RA05H8693M、RA03M9595M、RA03M8894M、RA03M8087M、RA03M4547MD、RA03M4043MD、RA03M3540MD、RA02M8087MD、RA01L9595M、RA01L8693MA等RA全系列。
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