“环形闭合磁场”磁控溅射技术已获得专利。 相对于同样尺寸的热蒸发镀膜机，CFM的产能是他们的3-4倍。 CFM溅射工艺中的材料氧化发生在溅射靶的周围，同时在装基片的整个区域内都进行氧化反应，从而使氧 化非常充分、吸收最小。 CFM溅射工艺不需要独立的离子源或等离子源作为其氧化辅助装置。 由于CFM能够形成“低能量高密度”的等离子体，使得膜层的应力最小。 完全的低温溅射工艺为塑料基底镀膜找到了最佳的解决方案。