坂口电热将从9月上旬开始上市可用于2英寸p型ZnO结晶生长的激光平面加热装置“ExLASER”。将波长为808nm、输出功率为2kW的半导体激光器的光照射范围扩大至2英寸见方。由于采用激光加热方式，所以温度升降速度快，可在4秒内从100℃升至1000℃、在7秒内从1000℃降至400℃。  

　　此次推出的装置是在日本东北大学教授川崎雅司指导下开发的，川崎在几年前利用ZnO的pn接合实现了蓝色LED发光。通常情况下ZnO易于形成n型，而不易形成p型。对此，川崎教授在几年前通过有规则地重复进行低温N（氮）涂装和高温热处理的“反复温度调制法”，确立了p型ZnO生长技术。此时，如果温度升降速度太慢，在高温领域涂装的氮就会脱落，因此快速升降温度的激光加热技术尤为重要。在此次的开发中，川崎教授进行了指导，同时坂口电热的开发制造部门公司Alpha Ecor还得到了日本科学技术振兴机构（JST）独创模式化项目（利用独创的技术等资源开展业务）的扶持。  

　　此前将半导体激光器的光照射范围扩大至2英寸见方后，光强度就会产生较大的不均匀性，从而存在晶圆上的温度分布不均匀的问题。而此次则通过改进光学系统补偿了光强度的不均匀性，可将加热至1000℃的2英寸晶圆的温度偏差控制在±3℃。该装置的价格约为1亿日元。该公司将来还打算通过进一步扩大激光照射范围，应用于300mm晶圆，“我们希望开发出在Si-LSI制造中也可使用的装置”